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厂商型号

KSD882YSTSSTU 

产品描述

Trans GP BJT NPN 30V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-126 Rail

内部编号

3-KSD882YSTSSTU

#1

期货
1 ¥1.587

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KSD882YSTSSTU产品详细规格

规格书 KSD882YSTSSTU datasheet 规格书
KSD882
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 2,880
晶体管类型 NPN
- 集电极电流(Ic)(最大) 3A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 30V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 500mV @ 200mA, 2A
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 160 @ 1A, 2V
功率 - 最大 1W
频率转换 90MHz
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-225AA, TO-126-3
供应商器件封装 TO-126
包装材料 Tube
包装 3TO-126
类型 NPN
引脚数 3
最大集电极发射极电压 30 V
集电极最大直流电流 3 A
最小直流电流增益 160@1A@2V
最大工作频率 90(Typ) MHz
最大集电极发射极饱和电压 0.5@0.2A@2A V
最大集电极基极电压 40 V
工作温度 -55 to 150 °C
最大功率耗散 1000 mW
安装 Through Hole
标准包装 Rail / Tube
集电极最大直流电流 3
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 TO-225-AA
最低工作温度 -55
最大功率耗散 1000
最大基地发射极电压 5
Maximum Transition Frequency 90(Typ)
封装 Rail
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 40
供应商封装形式 TO-126
最大集电极发射极电压 30
铅形状 Through Hole
电流 - 集电极( Ic)(最大) 3A
晶体管类型 NPN
安装类型 Through Hole
频率 - 转换 90MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 500mV @ 200mA, 2A
电流 - 集电极截止(最大) 1µA (ICBO)
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 30V
供应商设备封装 TO-126
功率 - 最大 1W
封装/外壳 TO-225AA, TO-126-3
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 160 @ 1A, 2V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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